Transistor IRLZ24N IRLZ34N IRLZ44N TO-220 TO220 IRLZ24 IRLZ34 IRLZ44

Descripción
INFORMACIÓN
Los Mosfet son la mejor combinación de cambio rápido, resistente, bajo en resistencias, y rentabilidad. La baja resistencia térmica y el bajo costo contribuyen a su amplia aceptación en la industria. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Utiliza técnicas de procesamiento para lograr extremadamente baja resistencia de encendido por área de silicio. Características adicionales de este diseño son una unión de 175 °C en funcionamiento, velocidad de conmutación rápida y mejorada avalancha repetitiva. Estas características combinan para que este diseño sea extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Todos estos MOSFET de potencia están diseñados para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores, controladores de motor, controladores de relé y controladores para transistores de conmutación bipolar de potencia que requieren alta velocidad y baja potencia de accionamiento de la puerta. Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.

Especificaciones técnicas

Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 35 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Carga de compuerta (Qg): 66 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS (on): 0.04 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
3 pines